三星完成12层3D硅穿孔堆叠:单片HBM存储容量提至24GB

时间:2019-11-04 09:35:59

随着集成电路规模的扩大,如何将更多晶体管插入尽可能小的区域成为一个挑战。多芯片堆叠封装被认为是目前最好的解决方案,毕竟半导体小型化的发展进程已经不能满足使用需求。

三星电子10月7日正式宣布,它是第一家开发12层3d-tsv(硅通孔)技术的公司。dram芯片通过60,000个tsv孔连接,每层只有发丝厚度的1/20。

三星表示,这12层的总封装厚度为720μm,与目前的8层堆叠hbm2存储器芯片相同。这意味着客户可以在不改变内部设计的情况下获得更大容量的芯片。此外,3d堆叠还有助于缩短数据传输时间,提高带宽和传输性能。

三星透露,这款基于12层3d tsv技术的hbm内存芯片将很快量产,将单芯片容量从8gb提高到24gb。